发光二极管及其制造方法

摘要

一种发光二极管，包括基板、缓冲层、半导体层及半导体发光结构，缓冲层位于基板之上，半导体层位于缓冲层之上，半导体发光结构位于半导体层上，所述半导体层内掩埋若干空隙。与现有技术相比，本发明的发光二极管的半导体层内部掩埋空隙，空隙可以反射半导体发光结构朝向基板一侧发出的光线，从而提高光取出效率。本发明还公开一种发光二极管制造方法。

主权项

一种发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供基板；于基板上形成阵列分布的若干柱体，相邻柱体之间间隔形成间隙；高温下重新生长所述阵列分布的若干柱体以将相邻柱体之间的间隙内的空气与外界隔离为若干空隙，从而形成内部掩埋若干空隙的半导体层；于所述半导体层上形成一半导体发光结构；所述若干空隙弥散分布于高温下重新生长后的所述半导体层内,所述若干空隙中的一部分空隙比其他空隙靠近于所述半导体发光结构，所述一部分空隙与所述其他空隙错落分布；其中,于基板上形成阵列分布的若干柱体包括以下步骤：于基板上形成一缓冲层；于缓冲层上形成一半导体层；于所述半导体层上形成金属层；将该金属层高温热处理以形成金属掩膜；蚀刻所述半导体层未被所述金属掩膜遮蔽的部分以形成阵列分布的若干柱体；以及去除金属掩膜。