半导体装置以及用于制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底、形成在衬底上方并且包含氮化物半导体的半导体层、形成在半导体层上方并且包含金的电极、形成在电极上方的阻挡膜以及形成在半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜以及氮氧化硅膜中的保护膜。保护膜形成在阻挡膜上。阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；半导体层，所述半导体层形成在所述衬底上方并且包含氮化物半导体；电极，所述电极形成在所述半导体层上方并且包含金；阻挡膜，所述阻挡膜形成在所述电极上方；和保护膜，所述保护膜形成在所述半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种；其中所述保护膜形成在所述阻挡膜上；其中所述阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜，所述阻挡膜设置为防止包含在所述电极中的金与包含在所述保护膜中的所述氧化硅膜、所述氮化硅膜和所述氮氧化硅膜中的一种接触，所述电极是栅电极。