发明名称 半导体芯片
摘要 本发明提供一种漏电流防止电路及一种半导体芯片。该半导体芯片适用于耦合到一电源端及一输出端,且包含一核心电路、一电阻单元及一单向电流单元。该核心电路耦合于该输出端。该电阻单元耦合于该输出端。该单向电流单元耦合于该电阻单元及该电源端之间,用来在该电源端被供应电力时,允许电流自该电源端导通至该输出端,而在该电源端没有被供应电力时,实质上防止电流自该输出端导通至该电源端。其中,该核心电路、该电阻单元、及该单向电流单元设置于同一半导体基底当中。
申请公布号 CN102545878B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201110407965.9 申请日期 2008.04.17
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 曾子建;曹太和;刘剑
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张健
主权项 一种半导体芯片,适用于耦合到一电源端、一输出端及一接地端,且包含:一核心电路,耦合于该输出端;一电阻单元,耦合于该输出端;以及一单向电流单元,耦合于该电阻单元及该电源端之间,用来在该电源端被供应电力时,允许电流自该电源端导通至该输出端,而在该电源端没有被供应电力时,实质上防止电流自该输出端导通至该电源端;其中,该核心电路、该电阻单元、及该单向电流单元设置于同一半导体基底当中;其中,该单向电流单元包括一开关单元和一偏压产生单元,该开关单元包括一P型晶体管P1,该P型晶体管P1包括一耦合到该电源端的第一端、一耦合到该电阻单元的第二端、一栅极、及一基极;该偏压产生单元输出一偏置电压到该P型晶体管P1的基极,并在该电源端被供应电力时,使该偏置电压实质上等于该电源端的电压,而在该电源端没有被供应电力时,使该偏置电压实质上等于该输出端的电压;该偏压产生单元包括:一P型晶体管P2,包括一耦合到该输出端的第一端、一耦合到输出该偏置电压的节点的第二端、一耦合到该电源端的栅极,及一接收该偏置电压的基极;一P型晶体管P3,包括一耦合到该电源端的第一端、一耦合到输出该偏置电压的节点的第二端、一栅极,及一接收该偏置电压的基极;一P型晶体管P4,包括一耦合到该输出端的第一端、一耦合到该P型晶体管P3的栅极的第二端、一耦合到该电源端的栅极,及一接收该偏置电压的基极;及一N型晶体管N1,包括一耦合到该接地端的第一端、一耦合到该P型晶体管P3的栅极的第二端、一耦合到该电源端的栅极,及一耦合到该接地端的基极。
地址 中国台湾新竹科学园区