发明名称 一种半导体冷热双向芯片
摘要 本发明涉及一种半导体冷热双向芯片,其包括若干NP型半导体单元,每一个该NP型半导体单元都包括N型半导体以及P型半导体,在该N型半导体与该P型半导体一侧连接有第一导流片,在任意相邻接的两个该NP型半导体单元的该P型半导体与该N型半导体的另外一侧连接有第二导流片,在每一个该第一导流片上分别连接有冷端导热柱,该冷端导热柱直接伸设在外部空间中,在每一个该第二导流片上分别连接有热端导热柱,该热端导热柱直接伸设在外部空间中,在该半导体冷热双向芯片的两侧分别设置有导热绝缘层,该导热绝缘层分别罩设在该第一导流片以及该第二导流片上,该冷端导热柱以及该热端导热柱分别从该导热绝缘层中伸出。
申请公布号 CN103178201B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201310089296.4 申请日期 2013.03.20
申请人 刘宇 发明人 刘宇;游勇军
分类号 H01L35/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L25/04(2014.01)I 主分类号 H01L35/02(2006.01)I
代理机构 深圳市嘉宏博知识产权代理事务所 44273 代理人 孙强
主权项 一种半导体冷热双向芯片,其包括若干NP型半导体单元,若干个该NP型半导体单元顺序排列形成该半导体冷热双向芯片的冷热发生单元,其特征在于:每一个该NP型半导体单元都包括N型半导体以及P型半导体,在该N型半导体与该P型半导体一侧连接有第一导流片,在该侧电流由该N型半导体通过该第一导流片流向该P型半导体吸收热量,该侧成为冷端,在任意相邻接的两个该NP型半导体单元的该P型半导体与该N型半导体的另外一侧连接有第二导流片,在该另外一侧电流由该P型半导体通过该第二导流片流向该N型半导体释放热量,该另外一侧成为热端,该第一导流片以及该第二导流片对应连接在该N型半导体以及该P型半导体的两侧,在每一个该第一导流片上分别连接有冷端导热柱,该冷端导热柱直接伸设在外部空间中,该半导体冷热双向芯片的该冷端通过该冷端导热柱与外部空间进行热量交换,在每一个该第二导流片上分别连接有热端导热柱,该热端导热柱直接伸设在外部空间中,该半导体冷热双向芯片的该热端通过该热端导热柱与外部空间进行热量交换,在该半导体冷热双向芯片的两侧分别设置有导热绝缘层,该导热绝缘层分别罩设在该第一导流片以及该第二导流片上,该冷端导热柱以及该热端导热柱分别从该导热绝缘层中伸出,该冷端导热柱以及该热端导热柱由导热金属制成,该导热绝缘层由导热绝缘材料制成,该冷端导热柱与该第一导流片整合在一起形成冷端导热导流柱,该热端导热柱与该第二导流片整合在一起形成热端导热导流柱,该冷端导热导流柱以及该热端导热导流柱对应连接在该N型半导体以及该P型半导体的两侧,该冷端导热导流柱以及该热端导热导流柱分别从该导热绝缘层中伸出,在该冷端导热导流柱以及该热端导热导流柱上分别设置有柱槽,该柱槽纵向设置在该冷端导热导流柱以及该热端导热导流柱上,该柱槽的宽度控制在1至2毫米之间,连接在任意相邻接的该N型半导体、该P型半导体之间的该冷端导热导流柱在该N型半导体与该P型半导体之间至少设置有一个该柱槽,连接在任意相邻接的该N型半导体、该P型半导体之间的该热端导热导流柱在该N型半导体与该P型半导体之间至少设置有一个该柱槽。
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