单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构及制作方法

摘要

本发明提出了一种单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构及制作方法，至少包括：半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一接触层、有源区、第二接触层、第一金属层及第二金属层；有源区、第二接触层及第一金属层在第一接触层上形成脊型结构；脊型结构的侧面相对于端面倾斜；且脊型结构由一间隙结构沿长度方向分割为第一子脊型结构及第二子脊型结构。通过采用斜波导结构，可以提高器件横模选择能力，在保证器件单横模光输出前提下，器件宽度更宽，减小了出射光束远场发散角，提高了光束质量同时，通过不同大小电流注入耦合腔结构THz QCL的两段波导，改变折射率，利用Vernier效应实现了波长可调谐，波长调谐范围较以往单一通过电流注入改变折射率的器件结构大。

主权项

一种单模可调谐太赫兹量子级联激光器的器件结构，其特征在于，至少包括：半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一接触层、有源区、第二接触层、第一金属层及第二金属层；所述半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一接触层、有源区、第二接触层及第一金属层由下至上依次层叠，所述有源区、第二接触层及第一金属层在所述第一接触层上形成脊型结构；所述脊型结构的侧面相对于端面倾斜；所述脊型结构由一间隙结构沿长度方向分割为第一子脊型结构及第二子脊型结构；所述第二金属层位于所述脊型结构的两侧，与所述脊型结构平行，且与所述脊型结构具有一定的间距。