| 发明名称 | 一种硅通孔的化学机械抛光方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅通孔的化学机械抛光方法，包括：利用加热后的抛光液进行硅通孔的金属层的化学机械抛光。本发明对化学机械抛光中用到的抛光液进行加热，来提高抛光液对硅通孔的金属层表面的氧化能力，进而提高对金属层的去除速率。 | ||
| 申请公布号 | CN104759977A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410004990.6 | 申请日期 | 2014.01.06 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | B24B37/02(2012.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/02(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;吉海莲 |
| 主权项 | 一种硅通孔的化学机械抛光方法，其特征在于，包括：利用加热后的抛光液进行硅通孔的金属层的化学机械抛光。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||