| 摘要 |
<p>메모리 디바이스는 복수의 자성 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 셀을 포함하는 자성층, 제 1 전도층, 복수의 MRAM 셀에 포함된 MRAM 셀을 연결하는 스트랩, 및 제 2 전도층을 포함한다. 제 1 전도층은 복수의 MRAM 셀 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전도 부분, 및 복수의 MRAM 셀 중 적어도 하나에 데이터를 기록하도록 구성된 필드 라인을 포함한다. 제 2 전도층은 복수의 MRAM 셀 중 적어도 하나에 전기적으로 연결되는 전도 상호연결부를 포함하고, 자성층은 제 1 전도층과 제 2 전도층 사이에 배치된다. 복수의 MRAM 셀 중 적어도 하나는 제 2 전도층 및 스트랩에 직접 부착된다.</p> |
