| 发明名称 | 氮化硅烧结体及使用其的耐磨件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，包含氮化硅晶粒和晶界相，在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时，每100μm×100μm单位面积晶界相的面积比为15～35％。另外，所述每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比优选为15～25％。另外，氮化硅烧结体适于耐磨件。根据上述构成，可以提供加工性良好、滑动特性优良的氮化硅烧结体及使用其的耐磨件。 | ||
| 申请公布号 | CN104768899A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201380056980.0 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 | 发明人 | 船木开;小松通泰;山口晴彦;青木克之 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I;F16C33/32(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/584(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴宗颐 |
| 主权项 | 氮化硅烧结体，其特征在于，包含氮化硅晶粒和晶界相，在拍摄该氮化硅烧结体的任意截面时，每100μm×100μm单位面积的晶界相的面积比为15～35％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||