金属栅极的形成方法

摘要

一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅，所述替代栅的表面和侧壁以及半导体衬底表面形成有刻蚀停止层；在刻蚀停止层表面形成有机抗反射涂层，有机抗反射涂层的表面高于替代栅的表面；刻蚀去除部分厚度的有机抗反射涂层和刻蚀停止层，暴露部分高度的替代栅；去除剩余的抗反射涂层；形成覆盖刻蚀停止层表面以及替代栅的介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；去除所述替代栅，形成凹槽，在凹槽内填充满金属，形成金属栅极。本发明实施例的方法能有效的控制金属栅极的形成高度。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有替代栅，所述替代栅的表面和侧壁以及半导体衬底表面形成有刻蚀停止层；在刻蚀停止层表面形成有机抗反射涂层，有机抗反射涂层的表面高于替代栅的表面；刻蚀去除部分厚度的有机抗反射涂层和刻蚀停止层，暴露部分高度的替代栅，所述暴露的替代栅的高度为替代栅总高度的1/10～9/10；去除剩余的有机抗反射涂层；形成覆盖刻蚀停止层表面以及替代栅的介质层，所述介质层表面与替代栅表面平齐；去除所述替代栅，形成凹槽，在凹槽内填充满金属，形成金属栅极。