发明名称 微芯片的制造方法
摘要 在以往的微芯片的制造方法中,在一对树脂基板的粘接中使用紫外光,导致在被照射该紫外光的树脂基板的表面产生荧光。因此,在对检体附加荧光标记来进行测定的荧光标识法的情况下,如果使用该微芯片,则存在如下问题:在树脂基板的表面上产生的荧光对测定带来坏影响,检测精度降低。一种微芯片的制造方法,该微芯片具有对置的面相互粘接的一对树脂基材,在对置的面中的至少一面上形成有凹部,该微芯片的制造方法为如下制造方法:在向一对树脂基材被粘接之前的对置的面照射紫外区域的波长的光即紫外光之后,向被照射过紫外光的一对树脂基材的对置的面照射实质上包含可见区域的波长的光的可见光。
申请公布号 CN103249480B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201180058823.4 申请日期 2011.08.15
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 谷口义尚;田口好弘;杉村博之;金永钟
分类号 B01J19/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;G01N37/00(2006.01)I 主分类号 B01J19/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 胡建新;朴勇
主权项 一种微芯片的制造方法,该微芯片具有对置的面相互粘接的一对树脂基材,在上述对置的面中的至少一面上形成有凹部,该微芯片的制造方法的特征在于,在向上述一对树脂基材被粘接之前的上述对置的面照射紫外区域的波长的光即紫外光之后,向被照射过上述紫外光的上述一对树脂基材的上述对置的面照射实质上包含可见区域的波长的光的可见光,以使上述树脂基材中的由上述紫外光产生的具有荧光发光性的荧光分子成为激发状态,引起电子向上述树脂基材所包含的其它高分子的移动,上述荧光分子成为非荧光分子。
地址 日本东京都
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