发明名称 一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片
摘要 一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基,在外围支撑硅基的背面配置有玻璃衬底,外围支撑硅基的背面与玻璃衬底进行键合连接,硅膜位于外围支撑硅基的中间,硅膜的一边和外围支撑硅基之间通过一硅悬臂梁相连,硅悬臂梁上的中间配置有四个压阻条,四个压阻条连接构成惠斯通电桥,硅膜与硅悬臂梁组成的梁膜结构构成传感器测量部位,当一定速度流体作用于传感器芯片时,将有惯性力作用于硅膜,进而使得梁膜结构发生变形,压阻条在硅悬臂梁的应力作用下其阻值发生变化,惠斯通电桥失去平衡,输出一个与外界流量相对应的电信号,从而实现传感器芯片对流量的测量,具有体积小,重量小,响应速度快和高灵敏度的优点。
申请公布号 CN103076050B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201210567772.4 申请日期 2012.12.24
申请人 西安交通大学 发明人 赵玉龙;陈佩;李一瑶
分类号 G01F1/56(2006.01)I 主分类号 G01F1/56(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 贺建斌
主权项 一种梁膜单梁结构硅微流量传感器芯片,包括外围支撑硅基(3),其特征在于:在外围支撑硅基(3)的背面配置有玻璃衬底(4),外围支撑硅基(3)的背面与玻璃衬底(4)进行键合连接,中央硅膜(1)位于外围支撑硅基(3)的中间,中央硅膜(1)的一边和外围支撑硅基(3)之间通过一硅悬臂梁(2)相连,硅悬臂梁(2)上的中间配置有四个压阻条(5),四个压阻条(5)连接构成惠斯通电桥,中央硅膜(1)与硅悬臂梁(2)组成的梁膜结构构成传感器测量部位;所述的中央硅膜(1)与外围支撑硅基(3)之间存在150‑170μm的间隙以使中央硅膜(1)悬空,中央硅膜(1)的厚度与硅悬臂梁(2)的厚度相同;所述的中央硅膜(1)、硅悬臂梁(2)和外围支撑硅基(3)三部分的中轴线重合;所述的硅悬臂梁(2)采用了(100)晶面硅;所述的四个压阻条(5)沿着[110]和<img file="FDA0000692757400000011.GIF" wi="143" he="80" />晶向布置。
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号