一种新型低压上电复位电路

摘要

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其是一种新型低压上电复位电路。它包括第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、缓冲器和施密特触发器。第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管构成电源电压检测电路；其中第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一电阻、第二电阻用来产生偏置电流；反相器和第七PMOS管、第八PMOS管构成迟滞比较器；反相器用来产生时间延迟，施密特触发器用来产生复位信号。本实用新型大大提高了对噪声的免疫能力，同时增加了延迟时间且适用于更小尺寸CMOS工艺，电路简单可靠。

主权项

一种新型低压上电复位电路，其特征在于：它包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九NMOS管、第十PMOS管、反相器、缓冲器以及施密特触发器；所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极、源极连接所述第六PMOS管的源极并通过第一电阻连接所述第二PMOS管的源极、栅极连接所述第二PMOS管的源极和第六PMOS管的栅极；所述第二PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极和栅极；所述第三NMOS管的漏极与源极之间连接有第二电阻、源极还连接所述第四NMOS管的源极和电源电压、栅极连接所述第四NMOS管的栅极；所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的源极和电源电压、栅极连接所述第五NMOS管的栅极；所述第五NMOS管的源极连接所述第九NMOS管的源极、栅极连接所述第九NMOS管的栅极、漏极连接所述第六PMOS管的漏极和反相器的输入端；所述第六PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极、源极连接所述第七PMOS管的源极；所述第七PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极；所述第八PMOS管的漏极连接所述反相器的输入端、栅极连接所述反相器的输出端和缓冲器的a端；所述第九NMOS管的源极连接所述施密特触发器的c端、漏极连接所述施密特触发器的b端；所述第十PMOS管的栅极连接所述缓冲器的b端和施密特触发器的a端、漏极连接所述缓冲器的d端和第十PMOS管的源极、源极还连接所述施密特触发器的d端；所述缓冲器的a端连接反相器的输出端、b端连接施密特触发器的a端。