改善SiC/SiO2界面粗糙度的方法

摘要

本发明公开了一种改善SiC/SiO₂界面粗糙度的方法，该方法包括以下步骤：基片表面清洗在SiC外延片表面形成碳保护膜；进行1600℃的高温离子注入退火；进行表面碳膜的去除；将去除了表面碳膜的SiC外延片进行大面积HF酸清洗，然后进行SiO₂栅介质层的生长；对进行了SiO₂栅介质层的SiC外延片进行底部衬底电极的生长，并进行电极退火；对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。本发明通过在高温下对光刻胶加热形成碳膜，相比较其它工艺方法，简单而且实用价值高，能有效的减小SiC/SiO₂表面粗糙度，改善表面的平整度，减小在高栅压下的局部栅电场强度，提高栅介质层的可靠性。

主权项

一种改善SiC/SiO₂界面粗糙度的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A1、基片表面清洗：对N‑/N+型SiC外延片的表面进行标准湿法工艺清洗；A2、表面碳保护膜的形成：在SiC外延片表面形成碳保护膜；A3、高温退火：对表面形成碳保护膜的SiC外延片进行1600℃的高温离子注入退火；A4、表面碳膜的去除：对进行过高温离子注入退火之后的SiC外延片进行表面碳膜的去除；A5、栅介质层生长：将去除了表面碳膜的SiC外延片进行大面积HF酸清洗，然后进行SiO₂栅介质层的生长；A6、底部衬底电极的形成：对进行了SiO₂栅介质层的SiC外延片进行底部衬底电极的生长，并进行电极退火；A7、栅电极的形成：对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。