发明名称 一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法
摘要 本发明公开了一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法,其特征是:在制备介质/金属/介质电极时,当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后,先用氩等离子体辐照所述金属薄膜,然后再沉积上层介质薄膜。本发明通过氩等离子体辐照提高了介质/金属/介质电极的光电性能,使电极在导电性基本不变的情况下,光透过率得到明显提高;本发明的方法简单、易于实现。
申请公布号 CN104766894A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201510164428.4 申请日期 2015.04.08
申请人 合肥工业大学 发明人 方应;何金俊;张康;张冰
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生
主权项 一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法,其特征是:在制备介质/金属/介质电极时,当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后,先用氩等离子体辐照所述金属薄膜,然后再沉积上层介质薄膜。
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号