发明名称 |
一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法,其特征是:在制备介质/金属/介质电极时,当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后,先用氩等离子体辐照所述金属薄膜,然后再沉积上层介质薄膜。本发明通过氩等离子体辐照提高了介质/金属/介质电极的光电性能,使电极在导电性基本不变的情况下,光透过率得到明显提高;本发明的方法简单、易于实现。 |
申请公布号 |
CN104766894A |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201510164428.4 |
申请日期 |
2015.04.08 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
方应;何金俊;张康;张冰 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
一种提高介质/金属/介质电极光电性能的方法,其特征是:在制备介质/金属/介质电极时,当依次完成底层介质薄膜和中间层金属薄膜的沉积后,先用氩等离子体辐照所述金属薄膜,然后再沉积上层介质薄膜。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号 |