发明名称 |
用于大功率发光二极管的驱动电源 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于大功率发光二极管的驱动电源,包括:整流电路,将输入的交流电转换为直流电,并通过第一输出端和第二输出端输出;隔离变压器,隔离变压器包括第一绕组、第二绕组和次级绕组;高压启动电路,高压启动电路的一端分别与第一输出端和第一绕组的一端相连;碳化硅MOSFET,碳化硅MOSFET的漏极与第一绕组的另一端相连,碳化硅MOSFET的源极通过电流采样电阻接地;控制及驱动电路,其采用谷底导通临界模式变频控制策略对碳化硅MOSFET进行控制;调光控制电路,调光控制电路根据输入的调光信号改变流过发光二极管的电流,以对发光二极管进行调光。该驱动电源可简化设计,减小整个驱动电源的体积,具有体积小型化、成本低廉、可靠性高的优点。 |
申请公布号 |
CN204465995U |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201520184169.7 |
申请日期 |
2015.03.30 |
申请人 |
深圳市鹏源电子有限公司 |
发明人 |
刘学超;阮胜超 |
分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种用于大功率发光二极管的驱动电源,其特征在于,包括:整流电路,所述整流电路用于将输入的交流电转换为直流电,并通过第一输出端和第二输出端输出所述直流电;隔离变压器,所述隔离变压器包括第一绕组、第二绕组和次级绕组;高压启动电路,所述高压启动电路的一端分别与所述第一输出端和所述第一绕组的一端相连;碳化硅MOSFET,所述碳化硅MOSFET的漏极与所述第一绕组的另一端相连,所述碳化硅MOSFET的源极通过电流采样电阻接地;控制及驱动电路,所述控制及驱动电路分别与所述高压启动电路的另一端和所述碳化硅MOSFET的栅极相连,所述控制及驱动电路采用谷底导通临界模式变频控制策略对所述碳化硅MOSFET进行控制;以及调光控制电路,所述调光控制电路根据输入的调光信号改变流过所述发光二极管的电流,以对所述发光二极管进行调光。 |
地址 |
518034 广东省深圳市福田区新闻路侨福大厦4F |