一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构

摘要

本发明公开一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构，该结构是一种靠近p区的最后一个量子阱中的垒的结构。该结构同时包含u-InGaN层和u-AlInGaN双层结构，u-InGaN层能有效减少量子阱区的缺陷密度，减小量子阱区由于晶格质量造成的应力；同时采用u-AlInGaN可以增大垒的能带间隙，减少电子的溢流，提高电子和空穴在发光量子阱区，最后一个量子阱内的复合效率，提高发光亮度。

主权项

一种提高载流子复合效率的多量子阱中的垒的结构，包含该多量子阱中的垒的结构的发光二极管外延片结构从下向上依次为：衬底层、氮化镓低温缓冲层、未掺杂的氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型铝镓氮电子阻挡层、p型氮化镓层、p型氮化镓接触层，其特征在于：靠近p区的最后一个量子阱结构中的垒的特殊结构，该垒包含u‑In_aGa_1‑aN，0＜a＜1层和u‑Al_xIn_yGa_1‑x‑yN，0＜x＜1、0≤y＜1、0＜x+y＜1层，并且对于最后一个量子阱结构中的垒的特殊结构，首先生长u‑In_aGa_1‑aN，0＜a＜1层，然后生长u‑Al_xIn_yGa_1‑x‑yN，0＜x＜1、0≤y＜1、0＜x+y＜1层。