发明名称 | 微波芯片支撑结构 | ||
摘要 | 本发明涉及微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1″'),包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)以及外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)的第一微波层压层(2、49)。至少一个导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第一侧(3、50)上形成,向所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)延伸。微波芯片支撑结构(1、1′、1″、1″')还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二微波层压层(33、33″;57),第二微波层压层(33、33″,57)的第二侧(35、59)固定到第一层压层(2、49)的第一侧(3、50)的至少一部分。第一层压层(2、49)和/或第二层压层(33、33″;57)包括至少一个凹槽(10、36、66),设置所述凹槽(10、36、66)以用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67)。第二层压层(33、57)延伸出第一层压层(2、49)的外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在第二层压层(33、57)的第二侧(35、59)上延续而不接触第一层压层(2、49)。 | ||
申请公布号 | CN101432871B | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
申请号 | CN200780015280.1 | 申请日期 | 2007.04.27 |
申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | P·利冈德 |
分类号 | H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;王丹昕 |
主权项 | 一种微波芯片支撑结构(1、1'、1''、1'''),其包括带有第一侧(3、50)和第二侧(4、51)的第一层压层(2、49),所述第一层压层(2、49)具有外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),并且其中至少一个导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)上形成,所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)向所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)延伸,其特征在于,所述微波芯片支撑结构(1、1'、1''、1''')还包括带有第一侧(34、58)和第二侧(35、59)的第二层压层(33、33';57),所述第二层压层(33、33';57)以如下方式固定至所述第一层压层(2、49),即所述第二层压层(33、33',57)的所述第二侧(35、59)面向所述第一层压层(2、49)的所述第一侧(3、50)的至少一部分,所述第一层压层(2、49)包括至少一个凹槽(10、36、66),所述凹槽(10、36、66)设置为用于接纳要连接到所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)的微波芯片(11、67),其中所述第二层压层(33、33';57)还延伸出所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56),所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第二层压层(33、57)的所述第二侧(35、59)上延续,并且其中所述导体(21、22、23、24、25、26;60、61、62、63、64、65)在所述第二层压层(33、57)的所述第二侧(35、59)上并且在所述第一层压层(2、49)的所述外部界限(6、7、8、9;53、54、55、56)外的部分不与所述第一层压层(2、49)接触。 | ||
地址 | 瑞典斯德哥尔摩 |