发明名称 |
反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法,反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法,包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱,其中所述反应溅射的氧化铱溅射在微电极阵列上。本发明利用设定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射氧化铱,确定了使Lift-off工艺顺利进行的反应溅射条件,并且获得较好的电化学性质,使微电极阵列获得更好的电生理采集与刺激效果。 |
申请公布号 |
CN103301566B |
申请公布日期 |
2015.07.08 |
申请号 |
CN201310190253.5 |
申请日期 |
2013.05.21 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
刘景全;康晓洋;田鸿昌;杨斌;朱红英;杨春生 |
分类号 |
A61N1/04(2006.01)I;A61B5/00(2006.01)I |
主分类号 |
A61N1/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
郭国中 |
主权项 |
一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法,其特征在于,反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法,包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱,所述反应溅射的氧化铱的具体制备如下:(1)把需要氧化铱修饰的电极点区域的微电极阵列放入到溅射腔室,将溅射腔室抽真空;(2)通入氩气,输入功率使氩气电离、起辉;为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力,氩气的流量范围为2‑100立方厘米每分钟;所述氩气的压力范围为0.24‑7.2帕斯卡,以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力;(3)通入氧气,调节压力,打开挡板,开始反应溅射的过程;为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力,氧气的流量范围为5‑40立方厘米每分钟;所述氧气的压力范围为0.18‑5.4帕斯卡,以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力;(4)关闭输入功率,结束反应溅射过程。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |