用于复杂结构半导体器件的激光退火方法

摘要

本发明公开了属于半导体制造工艺范围的涉及一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。

主权项

一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法，在实施激光退火时，经过整形、汇聚后激光束(4)投射到被加工晶圆(1)上，其特征在于，在晶圆(1)上以倾斜离子注入角度(10)离子注入工艺制备器件(3)，激光束(4)与晶圆(1)的法线方向(5)之间呈现一个夹角(6)，该夹角(6)的角度与倾斜离子注入角度(10)相同，在实施激光退火时，激光束(4)沿着倾斜离子注入角度(10),通过覆盖在器件(3)表面的硬掩膜(11)的窗口(12)，使得光子通过这个窗口作用到晶圆(1)中，进行退火处理，形成退火作用区(13)；退火过程中，器件(3)被硬掩膜(11)屏蔽的部分不受影响；所述器件(3)是指为了针对器件具体特性的杂质分布，以一定倾斜角度实施离子注入所形成的器件结构。