| 摘要 |
<p>본 발명은, 중심(11) 주위에 실질적으로 회전 대칭형으로 배열되는 공정 챔버(1), 서셉터(2), 공정 챔버 천장(3), 서로 수직으로 겹치게 배치되는 가스 유입 챔버들(8, 9, 10)을 구비하는 가스 주입 요소(4) 및 서셉터의 수직 아래에 배치되는 히터를 포함하는, 반도체 층들을 증착하기 위한 장치로서, 가스 유입 챔버들 중 최상부(最高) 가스 유입 챔버(8)는 공정 챔버 천장(3)과 바로 인접하며 공정 챔버 내로 운반 가스와 함께 수소화물을 도입하기 위한 공급 라인(14)과 연결되며, 가스 유입 챔버들 중 최하부(最低) 가스 유입 챔버(10)는 서셉터(2)에 바로 인접하며 공정 챔버(1) 내로 운반 가스와 함께 수소화물을 도입하기 위한 공급 라인(16)과 연결되고, 최하부 가스 유입 챔버(10)와 최상부 가스 유입 챔버(8) 사이에 배치되는 하나 이상의 가스 유입 챔버(9)는 공정 챔버 내로 유기금속 화합물을 도입하기 위한 공급 라인(15)과 연결되는 장치와 관련된 것이다. 본 발명에 따르면, 가스 유입 챔버들(8, 9, 10)은 환형 벽들(22, 23, 24)에 의해 공정 챔버(1)를 향하여 차단되며, 환형 벽들은 서로 밀접하게 배치되는 복수의 가스 출구 개구들(25), 및 실질적인 돌출 없이 공정 챔버(1) 쪽으로 향하는 외부 벽을 포함한다.</p> |
