发明名称 III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 <p>본 발명은 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, n형 도전성을 가지는 n형 3족 질화물 반도체층; 상기 n형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 접속되도록 구비되는 n측 전극; p형 도전성을 가지는 p형 3족 질화물 반도체층; 및 상기 p형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 접속되도록 구비되는 p측 전극;을 포함하며, 상기 n측 전극과 p측 전극 중 적어도 하나는 상면에 Al, Ag, Pt 및 Ni, 이들 중 선택된 적어도 둘 이상의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 반사층;을 가진다. 본 발명에 따르면 반사층에 의해 패키징 상태에서 몰딩 부재에 의해 반사된 광의 흡수를 최소화되므로, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR101534304(B1) 申请公布日期 2015.07.07
申请号 KR20130138791 申请日期 2013.11.15
申请人 发明人
分类号 H01L33/36;H01L33/46 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
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