| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공하며, 반도체 기판에 형성된 고전압 제 1 도전형 웰과, 상기 고전압 제 1 도전형 웰 내에 형성된 제 2 도전형 바디와, 상기 제 2 도전형 바디에 형성된 소스 영역과, 상기 고전압 제 1 도전형 웰 내에 형성된 트렌치와, 상기 트렌치 내에 순차적으로 형성된 제 1 절연 산화막, 불순물이 도핑된 폴리 실리콘막 및 제 2 절연 산화막과, 상기 트렌치의 일측의 상기 고전압 제 1 도전형 웰 내에 형성된 드레인 영역과, 상기 고전압 제 1 도전형 웰 상에 형성된 폴리 게이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
