MEMORY SYSTEM AND WRITE METHOD THEREOF

摘要

본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은, 선택된 메모리 셀에 간섭을 제공하는 간섭 셀에 기입될 프로그램 데이터를 참조하여 상기 선택된 메모리 셀의 프로그램 검증 전압을 조정하는 단계; 및 상기 조정된 검증 전압에 따라 상기 선택된 메모리 셀을 프로그램하는 단계를 포함한다.