| 摘要 |
실효 인덕턴스 성분의 저감 효과를 높여, 스위칭 소자의 스위칭시에 발생하는 링잉 성분을 억제하는 것이 가능한 CR 스너버 회로를 얻는다. 기판의 한쪽 면에 형성되는 제1 전류 경로와 기판의 한쪽 면의 이면인 다른 쪽 면에 형성되는 제2 전류 경로가 상기 기판을 사이에 두고 대향하고, 또한, 제1 전류 경로와 제2 전류 경로에서 서로 역방향으로 전류가 흐르도록, 콘덴서(5)와 저항(6)이 배치되어, 제1 전류 경로에 포함되는 인덕턴스 성분과 제2 전류 경로에 포함되는 인덕턴스 성분이 결합하여 얻어지는 실효 인덕턴스 성분과, 콘덴서(5) 및 저항(6)에 의해 대역 제거 필터를 형성한다. |
