发明名称 Semiconductor Light Emitting Device Comprising Uneven Substrate and Manufacturing Method thereof
摘要 <p>본 발명은 패턴 형성 기판을 구비한 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 패턴 형성 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자는, 기판, 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 구비한 발광소자에 있어서, 상기 기판은 일표면상에 복수개의 볼록부를 갖는 패턴이 형성되고, 상기 패턴은 상기 복수개의 볼록부 중 어느 하나의 제1 볼록부와 그 인접한 볼록부간 이격 거리가 상기 복수개의 볼록부 중 어느 하나의 제2 볼록부와 그 인접한 볼록부간 이격 거리와 서로 다르게 형성된다.</p>
申请公布号 KR101533296(B1) 申请公布日期 2015.07.02
申请号 KR20080065924 申请日期 2008.07.08
申请人 发明人
分类号 H01L33/20;H01L33/32 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
地址