发明名称 低周波広帯域超音波トランスデューサ
摘要 <p>ダウンホールセメントボンド評価で使用するのに特に適しており、しかしさまざまな用途で使用可能な、低周波数パルスエコー超音波トランスデューサが提供される。1つの周波数パルスエコー超音波トランスデューサは、ピエゾセラミック要素と、好ましくは、トランスデューサスタックのQを減少させるため、ピエゾセラミック要素に整合した音響インピーダンスである、超音波抑制または減衰要素の交互の層を有するトランスデューサスタックを備える。別の低周波数パルスエコー超音波トランスデューサは、音響減衰裏当て上に配設される本トランスデューサスタックおよび前面を有するアセンブリを備える。さらに別の低周波数パルスエコー超音波トランスデューサは、メタニオブ酸鉛から作られたトランスデューサ合成物を含む。さらに別の周波数パルスエコー超音波トランスデューサは、合成物のスタックを含む。さらなる低周波数パルスエコー超音波トランスデューサは、合成物スタックを備え、複数の駆動要素が、異なる時間に個別の要素を駆動することを可能にする。トランスデューサは、複数パルス時間遅延のやり方で駆動されうる。</p>
申请公布号 JP2015518700(A) 申请公布日期 2015.07.02
申请号 JP20150510422 申请日期 2013.05.01
申请人 发明人
分类号 H04R17/00;G01N29/04;G01N29/24 主分类号 H04R17/00
代理机构 代理人
主权项
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