Halbleitervorrichtungsstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Ausführungsformen eines Verfahrens zur Bildung einer Halbleitervorrichtungsstruktur werden zur Verfügung gestellt. Das Verfahren schließt die Bildung eines Gate-Stack über einem Halbleitersubstrat und Bildung einer Versiegelungsstruktur über einer Seitenwand des Gate-Stack ein. Das Verfahren schließt auch die Bildung einer Blind-Abschirmlage über dem Halbleitersubstrat, der Versiegelungsstruktur und dem Gate-Stack ein. Das Verfahren schließt weiter die Durchführung eines Ionen-Implantationsprozesses auf der Blind-Abschirmlage ein, um Source- und Drainregionen in dem Halbleitersubstrat zu bilden. Zusätzlich schließt das Verfahren ein Entfernen der Blind-Abschirmlage ein, nachdem die Source- und Drainregionen gebildet werden.