| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung enthält Folgendes: eine erste n–-leitende Epitaxialschicht, die auf einer ersten Oberfläche eines n+-leitenden Siliziumkarbidsubstrates mit einem stromführenden Bereich und Abschlussbereichen, die an beiden Seiten des stromführenden Bereiches positioniert sind, angeordnet ist; eine p-leitende Epitaxialschicht, die auf der ersten n–-leitenden Epitaxialschicht angeordnet ist; eine zweite n–-leitenden Epitaxialschicht, die auf der p-leitenden Epitaxialschicht angeordnet ist; einen ersten Graben, der in dem stromführenden Bereich angeordnet ist; einen zweiten Graben, der in jedem Abschlussbereich angeordnet ist; eine Gate-Isolierschicht, die in dem ersten Graben angeordnet ist; eine Gate-Elektrode, die auf der Gate-Isolierschicht angeordnet ist; und eine Abschluss-Isolierschicht, die in dem zweiten Graben angeordnet ist, wobei eine Seite der Abschluss-Isolierschicht die p-leitende Epitaxialschicht und die zweite n–-leitende Epitaxialschicht berührt. |
