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<p>공정 효율이 향상되고, 신뢰성이 향상된 산화물 반도체 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법이 제공된다. 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 절연 기판 상에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며, 드레인 전극 연결부를 포함하는 데이터선, 상기 게이트 전극 주변에 형성되어 있는 산화물 반도체 활성층 패턴, 상기 데이터선과 상기 산화물 반도체 활성층 패턴 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극 연결부를 노출하는 제1 개구부와 상기 산화물 반도체 활성층 패턴을 노출하는 제2 개구부를 가지는 패시배이션층, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 상기 산화물 반도체 활성층 패턴과 상기 드레인 전극 연결부를 전기적으로 연결하는 드레인 전극을 포함한다.</p> |
