| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein erstes Substrat, das mehrere erste Kontaktstellen aufweist, die auf einer ersten Oberfläche des ersten Substrats angeordnet sind, ein zweites Substrat, das mehrere zweite Kontaktstellen umfasst, die auf einer zweiten Oberfläche des Substrats angeordnet sind, mehrere leitende Bondhügel, die die mehreren ersten Kontaktstellen jeweils mit den mehreren zweiten Kontaktstellen bonden, ein Lötmittel-Verstärkungsmaterial, das auf der ersten Oberfläche angeordnet ist und die mehreren leitenden Bondhügel umgibt, ein Unterfüllungsmaterial, das die mehreren leitenden Bondhügel umgibt und zwischen dem Lötmittel-Verstärkungsmaterial und der zweiten Oberfläche angeordnet ist, und eine raue Grenzfläche zwischen dem Lötmittel-Verstärkungsmaterial und dem Unterfüllungsmaterial, wobei die raue Oberfläche mehrere hervorstehende Abschnitte und mehrere vertiefte Abschnitte umfasst. Weiter umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Bereitstellen eines Substrats, das Anordnen mehrerer Kontaktstellen auf einer Oberfläche des Substrats, das Anordnen mehrerer leitender Bondhügeln jeweils auf den mehreren Kontaktstellen, das Anordnen eines Lötmittel-Verstärkungsmaterials die mehreren leitenden Bondhügel umgebend und über der Oberfläche des Substrats und das Ausbilden einer rauen Oberfläche des Lötmittel-Verstärkungsmaterials, die mehrere hervorstehende Abschnitte und mehrere vertiefte Abschnitte aufweist. |
