Halbleitervorrichtung mit Metallsilizidsperrbereich und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Es werden Ausführungsformen und Mechanismen zur Ausbildung einer Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt. Die Halbleitervorrichtung umfasst einen Gate-Stapel auf einem Halbleitersubstrat. In einigen Ausführungsformen umfasst die Halbleitervorrichtung weiterhin ein Halbleiterelement, wie zum Beispiel einen Widerstand, auf dem Halbleitersubstrat. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine Metallsilizidschicht auf zumindest einem der folgenden Bereiche oder Stapel: Gate-Stapel, Source-Bereich und Drain-Bereich. Die Halbleitervorrichtung umfasst auch einen Sperrbereich in einem oberen Teil des Halbleiterelements. In manchen Ausführungsformen umfasst der Sperrbereich erste Dotanden und zweite Dotanden mit einem kleineren Atomradius als dem der ersten Dotanden.