发明名称 |
化学气相沉积方法和装置 |
摘要 |
本发明一种化学气相沉积方法,该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体,其中,所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置,且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。本发明还提供一种化学气相沉积设备。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启,避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉,降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险,因此也降低了颗粒污染基片的风险,并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命。 |
申请公布号 |
CN104746045A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310731247.6 |
申请日期 |
2013.12.26 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
李兴存 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
彭瑞欣;张天舒 |
主权项 |
一种化学气相沉积方法,该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体,其特征在于,所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置,且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。 |
地址 |
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 |