发明名称 一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用
摘要 本发明公开了一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用。提供了一种两步法制备四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列材料的方法,制备的四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列以四氧化三钴纳米线为骨架,在其外部包覆钼酸钴纳米薄膜材料,该结构垂直生长、排列整齐,具有规则的三维异质结构,可直接作为超级电容器的电极材料。与现有技术相比,本发明制备方法产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性好。作为超级电容器的电极材料实现了长的循环稳定性、大的具体电容、高的能量密度和功率密度。
申请公布号 CN104752071A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201510153050.8 申请日期 2015.04.01
申请人 安徽师范大学 发明人 张小俊;顾正翔;汪阮峰
分类号 H01G11/46(2013.01)I;H01G11/30(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01G11/46(2013.01)I
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人 马荣
主权项 一种四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列,其特征在于,所述四氧化三钴、钼酸钴核壳异质结构纳米线阵列以四氧化三钴纳米线为骨架,在其外部包覆钼酸钴纳米薄膜材料。
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学