| 发明名称 | 一种阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极和底电极，顶电极与底电极之间设有由CeO<sub>x</sub>／CeO<sub>2</sub>双层薄膜构成的阻变功能层。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)在衬底上形成底电极；(3)利用反应溅射沉积技术在所述底电极上沉积CeO<sub>x</sub>薄膜，沉积前，腔室真空度为5×10<sup>-5</sup>Pa；沉积过程中，腔室气压保持在1～3Pa，氧分压控制在0.1％～8％；(4)利用反应溅射沉积技术在所述CeO<sub>x</sub>薄膜上沉积CeO<sub>2</sub>薄膜，沉积前，腔室真空度为5×10<sup>-5</sup>Pa；沉积过程中，腔室气压保持在1～3Pa，氧分压控制在8％～30％；(5)在所述CeO<sub>2</sub>薄膜上形成顶电极。本发明的阻变存储器具有高存储密度、高读写速度、高耐久性、长的数据保持能力，并且具有低的能耗；其制备方法简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN104752609A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310737539.0 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;张艳;杜军 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青;熊国裕 |
| 主权项 | 一种阻变存储器，其特征在于，包括顶电极和底电极，顶电极与底电极之间设有由CeO<sub>x</sub>／CeO<sub>2</sub>双层薄膜构成的阻变功能层。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||