半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域上形成若干平行排布的多晶硅栅；形成覆盖所述多晶硅栅表面的控制栅介质层；刻蚀部分控制栅介质层，在控制栅介质层中形成暴露出多晶硅栅的部分表面的开口；在半导体衬底的第二区域表面上形成逻辑晶体管的栅介质层；在形成栅介质层后，清洗所述开口；形成覆盖所述栅介质层、控制栅介质层的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充满开口；刻蚀第二区域的第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅电极；刻蚀第一区域的第二多晶硅层的多晶硅栅，形成位于浮栅上的控制栅、位于开口区域的选择栅。本发明的方法提高了闪存器件的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域上形成若干平行排布的多晶硅栅，每个多晶硅栅包括若干第一部分和与第一部分相邻的第二部分；形成覆盖所述多晶硅栅表面和第一区域的半导体衬底表面的控制栅介质层；刻蚀多晶硅栅的第一部分上的部分控制栅介质层，在控制栅介质层中形成暴露出多晶硅栅的第一部分的部分表面的开口；在半导体衬底的第二区域表面上形成逻辑晶体管的栅介质层；在形成栅介质层后，清洗所述开口；形成覆盖所述栅介质层、控制栅介质层和半导体衬底的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充满开口；刻蚀第二区域的第二多晶硅层，形成逻辑晶体管的栅电极；沿与多晶硅栅排布方向垂直的方向刻蚀第一区域的第二多晶硅层和第一部分和第二部分的多晶硅栅，形成浮栅、位于浮栅上的控制栅、以及位于开口区域的选择栅。