| 发明名称 | 用于半导体器件的互连结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种互连件和形成用于半导体器件的互连件的方法。通过处理介电层的上表面以产生高密度层来形成互连件。例如，处理可以包括使用六甲基二硅氮烷(HMDS)、三甲基硅烷基二乙胺(TMSDEA)或乙酸三甲基硅酯(OTMSA)生成高密度单层。处理之后，可以图案化介电层以生成随后用导电材料填充的开口。例如，可以使用化学机械抛光去除过量的导电材料。本发明涉及用于半导体器件的互连结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104752338A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201410843919.7 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭涵馨;柯忠祁;杨能杰;黄富明;蔡及铭;陈亮光 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：提供具有介电层的衬底，所述介电层形成在所述衬底上；处理所述介电层的表面以形成沿着所述介电层的表面比所述介电层具有更高密度的层；图案化所述介电层以形成开口；以及在所述介电层中的所述开口中形成导电材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||