发明名称 压印存储器
摘要 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器(mask-ROM)的广泛应用。本发明提出一种压印存储器(imprinted memory),尤其是三维压印存储器(three-dimensional imprinted memory,简称为3D-iP)。它采用压印法(imprint-lithography)来录入数据。压印法也称为纳米压印法(nano-imprint lithography,简称为NIL),其采用的数据模版(template)比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。
申请公布号 CN104751894A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201510091225.7 申请日期 2012.09.02
申请人 杭州海存信息技术有限公司 发明人 张国飙
分类号 G11C17/10(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I 主分类号 G11C17/10(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制造压印存储器的方法,其特征在于包括如下步骤:1)形成一数据录入膜;2)通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中;3)形成多条与该数据录入膜耦合的地址线;其中,该数据图形代表存储于该存储器中的数据,且该数据图形具有纳米尺度,且不具有微米尺度周期性。
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