发明名称 |
压印存储器 |
摘要 |
高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器(mask-ROM)的广泛应用。本发明提出一种压印存储器(imprinted memory),尤其是三维压印存储器(three-dimensional imprinted memory,简称为3D-iP)。它采用压印法(imprint-lithography)来录入数据。压印法也称为纳米压印法(nano-imprint lithography,简称为NIL),其采用的数据模版(template)比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。 |
申请公布号 |
CN104751894A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201510091225.7 |
申请日期 |
2012.09.02 |
申请人 |
杭州海存信息技术有限公司 |
发明人 |
张国飙 |
分类号 |
G11C17/10(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制造压印存储器的方法,其特征在于包括如下步骤:1)形成一数据录入膜;2)通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中;3)形成多条与该数据录入膜耦合的地址线;其中,该数据图形代表存储于该存储器中的数据,且该数据图形具有纳米尺度,且不具有微米尺度周期性。 |
地址 |
310051 浙江省杭州市(高新区)5288信箱 |