发明名称 一种单芯片微机电系统及其制备方法
摘要 本发明涉及一种单芯片微机电系统及其制备方法,所述方法制备得到的单芯片微机电系统,所述单芯片微机电系统中在一个芯片上同时包括压力传感器和加速度传感器。本发明为了解决现有技术中存在的问题,将两种芯片的工艺流程整合在一起,利用工艺整合将加速度传感器和电容式压力传感器放在一颗芯片里,并且有结构共用,结构共用部分包括去除牺牲层形成的空腔、质量块材料、空腔上导电材料等,一次流片就可以得到同时具有加速度传感器和电容式压力传感器,极大地降低了成本,而且芯片整合会带来电路板面积的变小。
申请公布号 CN104743498A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201310740267.X 申请日期 2013.12.27
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 李海艇;叶菲;周强;陈宇涵
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京市磐华律师事务所 11336 代理人 董巍;高伟
主权项 一种单芯片微机电系统的制备方法,包括:提供基底,所述基底中形成有压力传感器底部电极以及彼此隔离的加速度传感器第一电极和第二电极;沉积牺牲材料层并图案化,以在所述压力传感器底部电极上形成压力传感器牺牲材料层,同时在所述加速度传感器第一电极和第二电极之间的基底上形成加速度传感器牺牲材料层;沉积第一导电材料层并图案化,以分别覆盖所述压力传感器牺牲材料层和所述加速度传感器牺牲材料层;蚀刻所述压力传感器牺牲材料层上方的第一导电材料层,以形成第一开口,露出所述压力传感器牺牲材料层;去除所述压力传感器牺牲材料层,以形成压力传感器空腔;在所述基底上沉积质量块材料层,以填充所述第一开口,并覆盖所述第一导电材料层;图案化所述加速度传感器牺牲材料层上方的所述质量块材料层以及所述第一导电材料层,以形成第二开口,露出所述加速度传感器牺牲材料层;在所述第二开口的侧壁上形成第二导电材料层;去除所述加速度传感器牺牲材料层,以形成加速度传感器空腔;图案化所述压力传感器空腔上方的所述质量块材料层,以形成压力传感器深槽。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号