可调电容器、等离子体阻抗匹配装置、方法和基板处理设备

摘要

本申请揭露了一种基板处理设备，包括：处理室；被配置为从供应至所述处理室内的气体产生等离子体的电极；被配置为输出RF功率的RF电源；被配置为将所述RF功率从所述RF电源传输至所述电极的传输线；连接至所述传输线且被配置为匹配等离子体阻抗的阻抗匹配单元；以及被配置为向所述阻抗匹配单元输出控制信号的控制器，其中，所述阻抗匹配单元包括具有多个电容器以及对应于所述多个电容器的多个开关的可调电容器，所述多个开关根据所述控制信号开启/关闭以便调整所述可调电容器的电容。

主权项

一种基板处理设备，包括：处理室；电极，被配置为从供应至所述处理室内的气体产生等离子体；RF电源，被配置为以脉冲模式输出RF功率；传输线，被配置为将所述RF功率从所述RF电源传输至所述电极；阻抗匹配单元，连接至所述传输线且被配置为匹配等离子体阻抗；以及控制器，被配置为向所述阻抗匹配单元输出控制信号；其中，所述阻抗匹配单元包括具有多个电容器以及对应于所述多个电容器的多个开关的可调电容器，所述多个开关根据所述控制信号开启/关闭以调整所述可调电容器的电容；其中所述多个电容器被分成N组(N为大于1的整数)，且由各组调整的电容范围不同；其中所述传输线包括连接所述可调电容器和所述处理室的第一传输线；以及从所述第一传输线分接到地的第二传输线；其中，所述基板处理设备进一步包括设置在所述第一传输线上的第一传输开关；以及设置在所述第二传输线上的第二传输开关；且其中所述控制器根据所述RF电源的脉冲模式输出开启/关闭信号至所述第一传输开关和所述第二传输开关。