发明名称 |
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法,其特征是按如下步骤进行:在硅片1上制备绝缘层2,将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上,在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型Si电极对,N型Si电极对通过纳米线连通;将N型Si电极对之间的N型Si壳层刻蚀至露出P型ZnSe纳米线核,并在露出的P型ZnSe纳米线核上制备与P型ZnSe纳米线核交叉呈欧姆接触的P型ZnSe电极。本发明利用P型ZnSe/N型Si核壳纳米线制备的存储器,开关比大、存储时间长、性能稳定且可重复性好,为存储器件的高度集成化奠定基础。 |
申请公布号 |
CN103390590B |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310264671.4 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
合肥工业大学 |
发明人 |
王莉;宋红伟;卢敏;马旭;赵兴志;王祥安 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 |
代理人 |
何梅生 |
主权项 |
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法,其特征是按如下步骤进行:a、合成P型ZnSe/N型Si核壳纳米线,所述P型ZnSe/N型Si核壳纳米线是在P型ZnSe纳米线核(6)的外表面包裹有N型Si壳层(5);b、在硅片(1)上制备绝缘层(2),将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在所述绝缘层(2)上;c、通过紫外光刻与电子束镀膜在分散有P型ZnSe/N型Si核壳纳米线的绝缘层(2)上制备一N型Si的电极对(4),所述N型Si的电极对(4)通过P型ZnSe/N型Si核壳纳米线连通且所述N型Si的电极对(4)与所述N型Si壳层(5)为欧姆接触;所述N型Si的电极对(4)为Ti/Ag复合电极或Al电极;d、通过紫外光刻与RIE刻蚀将所述N型Si的电极对(4)之间的N型Si壳层(5)刻蚀至露出P型ZnSe纳米线核(6);e、通过紫外光刻与电子束镀膜在刻蚀后露出的P型ZnSe纳米线核(6)上制备P型ZnSe的电极(3),所述P型ZnSe的电极(3)位于所述N型Si的电极对(4)之间且与所述P型ZnSe纳米线核(6)交叉呈欧姆接触,得到基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器,所述P型ZnSe的电极(3)不与所述N型Si的电极对(4)接触;所述P型ZnSe的电极(3)为Cu/Au复合电极或Au电极。 |
地址 |
230009 安徽省合肥市屯溪路193号 |