半导体装置结构与其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本揭露提供一种半导体装置结构与其形成方法。半导体装置结构包括：一基板；一闸极堆叠结构形成于该基板之上；复数个闸极间隙壁形成于该闸极堆叠结构之侧壁上；一隔离结构形成于该基板之中；以及一源极/汲极应力结构(source/drain stressor structure)相邻于该隔离结构，其中该源极/汲极应力结构包括一盖层，其中该盖层沿着(311)及(111)之晶面方向(crystal orientations)成长。