发明名称 使用还原方法之分子层沉积;MOLECULAR LAYER DEPOSITION USING REDUCTION PROCESS
摘要 本发明揭示将一种材料沉积在基板上,其系藉由将该基板暴露于含金属前驱物以使该含金属前驱物之金属原子吸附于该基板。将注有该含金属前驱物之该基板暴露于有机前驱物以藉由该有机前驱物与吸附于该基板之金属原子之反应沉积材料层。将该基板暴露于还原剂之自由基以提升沉积在该基板上之材料之反应性。该还原剂之自由基系藉由使用电极将电压差施加至诸如氢气的气体而产生。可在将该基板暴露于该有机前驱物之前及/或之后,将该基板暴露于自由基。可按顺序将该基板暴露于两种或更多种不同有机前驱物。沉积在该基板之材料可系聚烷氧化金属(metalcone),诸如聚烷氧化铝(Alucone)、聚烷氧化锌(Zincone)、聚烷氧化锆(Zircone)、聚烷氧化钛(Titanicone)、或聚烷氧化镍(Nickelcone)。
申请公布号 TW201525181 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW103140313 申请日期 2014.11.20
申请人 维克ALD公司 VEECO ALD INC. 发明人 李相忍 LEE, SANG IN;黄敞玩 HWANG, CHANG WAN
分类号 C23C16/455(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国 US