记忆装置及其制备方法

主权项

一种记忆装置之制备方法，包含下列步骤：形成一第一层于一基材上，其中该基材包含复数线形主动区；形成一第二层于该第一层上；图案化该第二层，以形成复数线条和复数第一间隔，其中该些线条与该些线形主动区相交，该些第一间隔分隔该些线条；沈积第一间隔材料在该图案化的第二层；填充材料填充于该些第一间隔；移除该第一间隔材料，以形成复数开口；通过该些开口于该第一层上形成复数第一沟槽；加深该些第一沟槽至该基材；沈积闸极介电材料至该些加深的第一沟槽；沈积导电材料至该些加深的第一沟槽；形成一隔离结构于各该加深的第一沟槽内、在该导电材料上；移除该第二层，以露出该些隔离结构之顶部；于该些隔离结构之侧壁上形成一第二间隔材料，并界定出复数第二间隔，其中该些第二间隔将该些隔离结构成对地分隔开；透过该些第二间隔，形成复数第二沟槽；以及以绝缘材料填充该些第二沟槽。