发明名称 用于第III族氮化物层生长之图案层设计
摘要
申请公布号 TWI491072 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW101137532 申请日期 2012.10.11
申请人 感应电子科技股份有限公司 发明人 加恩 拉克许;孙文红;杨今维;夏塔洛夫 麦辛S;多宾斯基 艾利斯安德;西尔 麦克;格斯卡 雷米吉斯
分类号 H01L33/22 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种方法,其包括:获得具有均方根粗糙度低于约0.5奈米的实质上平坦顶面的第一层;于该顶面上形成复数个开口,其中该复数个开口具有约0.1微米至约5微米之特征尺寸及至少0.2微米的深度且其中该复数个开口之间距系小于或等于该特征尺寸;于该顶面上形成第二复数个开口,其中该第二复数个开口具有约40奈米至约150奈米之特征尺寸;及于该第一层之该顶面上直接生长第二层,其中该第二层系由第III族氮化物材料形成,其具有至少70%的铝浓度且具有该等开口之特征尺寸之至少两倍的厚度。
地址 美国