| 主权项 |
一种导电接触物之制造方法，包括：提供一半导体基板，其上定义有一第一区与一第二区，于该第一区内之该半导体基板之上形成有一闸结构及之内形成有一对第一导电区，以及于该第二区内之该半导体基板之内形成有一对第二导电区与一隔离元件及之上形成有一第一介电层及一第二介电层，其中该对第一导电区系形成于该闸结构之对称侧的该半导体基板内，而该隔离元件隔离了该对第二导电区；顺应且依序形成一第三介电层及一第四介电层于该第一区内之该半导体基板之上；形成具有一第一开口之一图案化罩幕层于该第二区内之该第二介电层之上，其中该第一开口大体位于该隔离元件之上；施行一蚀刻制程，回蚀刻该第一区内之该第三介电层与该第四介电层，以及蚀刻该第二区内为该图案化罩幕层之该第一开口所露出之该第三介电层与该第四介电层，进而于该第一区内之该闸结构的对称侧壁上形成一复合间隔物及于该第二区内之该第一介电层与该第二介电层内形成一第二开口，其中形成于该第一介电层与该第二介电层内之该第二开口露出了该隔离元件之一顶面及部份露出该对第二导电区之一顶面；移除该图案化罩幕层；施行一磊晶程序，形成一第一导电半导体层于该对第一导电区之上及一第二导电半导体层于该隔离结构之该顶
面之上及为该第二开口所部份露出之该对第二导电区之该顶面之上；坦覆地形成一第五介电层于该第一区与该第二区内之该半导体基板之上；形成一第三开口于于该第二区内之该第五介电层内，露出该第二导电半导体层之一顶面；以及形成一导电层于该第三开口内，覆盖该第二导电半导体层且填满该第三开口。
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