| 发明名称 | 薄膜电晶体及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI491047 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | TW100111308 | 申请日期 | 2011.03.31 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 张锡明 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种薄膜电晶体的制造方法，包括：于一基板上形成彼此电性绝缘的一透明源极与一透明汲极；于该基板上形成一图案化透明氧化物半导体层而完全包覆该透明源极与该透明汲极；于该基板上形成一闸绝缘层，至少覆盖于该透明源极与该透明汲极之间的部分该图案化透明氧化物半导体层；以及于该透明源极、该透明汲极上方的该闸绝缘层上形成一透明闸极，其中，于该基板上形成该透明源极与该透明汲极的同时，更包括：于该基板上形成一画素电极与一透明资料线，该画素电极与该透明汲极电性连接，该透明资料线与该透明源极电性连接。 | ||
| 地址 | 桃园市杨梅区行善路80号 | ||