半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：基板；以及金氧半导体(MOS)电晶体，包含：半导体区，形成于该基板上；源极区与汲极区，形成于该半导体区中，其中，该源极区与汲极区彼此分隔；通道区，形成于将该源极区与汲极区分隔的该半导体区中；界面氧化层(IL)，形成于该通道区上且具有异于Si、O、或N的至少一元素加入于其中，其中该至少一元素包含Ge；以及高k电介质层，形成于该界面氧化层上，在实质上邻接于该IL之深度具有高k/IL界面；其中，该至少一元素之峰值密度之至少一深度系实质上位于该高k/IL界面之下。