| 发明名称 | 掩膜图形的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种掩膜图形的形成方法，所述掩膜图形的形成方法包括：提供待刻蚀图形；将所述待刻蚀图形拆分为第一掩膜图形和初始第二掩膜图形，所述第一掩膜图形内包括若干第一图形，所述初始第二掩膜图形内包括若干第二图形；在所述初始第二掩膜图形内加入第二可曝光散射图形，所述第二可曝光散射图形的位置与第一图形的位置分离。所述掩膜图形的形成方法可以提高工艺窗口，以及曝光图形的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN104752169A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745658.0 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王铁柱 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种掩膜图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀图形；将所述待刻蚀图形拆分为第一掩膜图形和初始第二掩膜图形，所述第一掩膜图形内包括若干第一图形，所述初始第二掩膜图形内包括若干第二图形；在所述初始第二掩膜图形内加入第二可曝光散射图形，所述第二可曝光散射图形的位置与第一图形的位置分离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||