发明名称 发光二极管封装方法
摘要 一种发光二极管封装方法,包括步骤:第一步,提供一具有粘性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上,各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上;第二步,形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒;第三步,在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道,多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层,从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元,每个发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层;第四步,移除薄膜层,以获得多个分离的发光二极管单元。
申请公布号 CN104752583A 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201310747520.4 申请日期 2013.12.31
申请人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 发明人 张书修;陈滨全;陈隆欣;曾文良
分类号 H01L33/48(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人 叶小勤
主权项 一种发光二极管封装方法,包括以下步骤:第一步,提供一具有粘性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上,各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上;第二步,形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒;第三步,在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道,多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层,从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元,每个发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层;第四步,移除薄膜层,以获得多个分离的发光二极管单元。
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