一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件，由于位于第一半导体衬底的下表面一侧的接触孔内的金属插塞通过金属硅化物与第一组器件的连接端子相连接，因此可以减小接触电阻，进而减小RC延迟，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，通过将位于第一半导体衬底下表面一侧的接触孔内的导电插塞经由位于上表面一侧的金属硅化物与其他连接端子相连接，因而可以减小接触电阻，进而减小RC延迟，提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底上表面一侧的第一组器件、第一互连结构以及覆盖所述第一互连结构的绝缘层，还包括位于所述第一半导体衬底内且靠近其下表面一侧的接触孔以及位于所述接触孔内的金属插塞；其中，所述第一组器件包括位于所述第一半导体衬底的上表面且与所述第一组器件的连接端子相接触的金属硅化物，所述金属插塞的上端与所述金属硅化物相连接。